配置电池过流和欠压告警

Qualcomm PMIC 电池限流(BCL)硬件监控驱动可实时检测电池过流(放电)和欠压情况。该驱动直接集成到 Qualcomm PMIC 中,通过响应有害的电气事件,在保护电池和整体系统方面发挥关键作用。 BCL 硬件使用带有可配置阈值的专用感测通道监控电池电压和电流。它支持多个告警级别,每个级别都与一条独立的中断线相关联。 表:BCL 告警功能

告警	阈值级别	中断线
Level 0(LVL0)	最大/最小阈值	映射到 `hwmon min/max`
Level 1(LVL1)	临界阈值	映射到 `hwmon lcrit/crit`

BCL 硬件以两种不同的模式运行: 表:BCL 模式

BCL 模式	描述
电池 PMIC 中的 BCL	支持欠压和过流监控
核心 PMIC 中的 BCL	仅支持欠压监控

`sysfs` 属性

驱动加载后,会检测系统上存在的传感器,并在 /sys/class/hwmon/hwmon<X>/ 下创建相应的 sysfs 属性,其中 <X> 是根据系统中其他 hwmon 设备的存在情况和顺序分配的索引。

电池 PMIC 属性

电池 PMIC(例如 PM7250B)中的 BCL 支持以下属性: 表:电池 PMIC 中支持的 BCL 属性

PMIC 名称	权限	描述
`curr1_input`	只读(RO)	电流,单位为毫安(mA)
`curr1_label`	RO	电流传感器标签
`curr1_max`	读/写(RW)	Level 0 电流阈值,单位为 mA
`curr1_max_alarm`	RO	Level 0 高电流告警状态
`curr1_crit`	RW	Level 1 电流阈值,单位为 mA
`curr1_crit_alarm`	RO	Level 1 高电流告警状态
`in0_input`	RO	电压,单位为毫伏(mV)
`in0_label`	RO	电压传感器标签
`in0_min`	RW	Level 0 低电压阈值,单位为 mV
`in0_min_alarm`	RO	Level 0 低电压告警状态
`in0_lcrit`	RW	Level 1 低电压阈值,单位为 mV
`in0_lcrit_alarm`	RO	Level 1 低电压告警状态

注意

超过阈值时,告警属性会自动更新。

可以在运行时通过 RW 属性配置阈值。

以下是电池 PMIC 的 sysfs 结构示例:

-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_crit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_crit_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_input
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_max
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_max_alarm
lrwxrwxrwx 1 root root    0 Jan  1 00:05 device -> ../../../c440000.spmi:pmic@8:bcl@1d00
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_input
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_lcrit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_lcrit_alarm
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_min
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_min_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 name

核心 PMIC 属性

核心 PMIC(例如 PM8350C)中的 BCL 支持以下属性: 表:核心 PMIC 中支持的 BCL 属性

PMIC 名称	权限	描述
`in0_label`	RO	电压传感器标签
`in0_min`	RW	Level 0 低电压阈值,单位为 mV
`in0_min_alarm`	RO	Level 0 低电压告警状态
`in0_lcrit`	RW	Level 1 低电压阈值,单位为 mV
`in0_lcrit_alarm`	RO	Level 1 低电压告警状态

注意

超过阈值时,告警属性会自动更新。

可以在运行时通过 RW 属性配置阈值。

以下是核心 PMIC 的 sysfs 结构示例:

-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_lcrit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_lcrit_alarm
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_min
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_min_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 name
lrwxrwxrwx 1 root root    0 Jan  1 00:03 of_node ->

要了解有关 Qualcomm PMIC BCL 的更多信息,请参阅 Patch series of Qualcomm PMIC BCL。

后续步骤

使用风扇控制器调节温度

​配置电池过流和欠压告警

​sysfs 属性

​电池 PMIC 属性

​核心 PMIC 属性

​后续步骤

配置电池过流和欠压告警

`sysfs` 属性

电池 PMIC 属性

核心 PMIC 属性

后续步骤